Infineon liefert erste 900-Volt-GaN-Schalter, die Strom in beide Richtungen leiten
Die Galliumnitrid-Chips gehen in einen Halbleiter-Transformator von Enphase für Rechenzentren. Ein Bauteil sperrt und leitet in beide Richtungen und spart so Wandlerstufen.
Foto: Mucber / Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0 (zugeschnitten und skaliert)
Infineon hat am 26. Oktober mitgeteilt, dass der Konzern dem US-Unternehmen Enphase die nach eigenen Angaben weltweit ersten monolithischen bidirektionalen Schalter aus Galliumnitrid (GaN) für 900 Volt liefert. Ein solches Bauteil sperrt Spannung und leitet Strom in beide Richtungen – eine Aufgabe, für die bisher mehrere Einzelteile nötig waren.
Enphase will die Chips in seinen Halbleiter-Transformator IQ SST für Rechenzentren einbauen. Weniger Wandlerstufen und Bauteile bedeuten nach Angaben der Firmen mehr Effizienz und Zuverlässigkeit; die hohe Schaltfrequenz erlaubt kleinere Magnetbauteile. Die Schalter wurden erfolgreich getestet, die Qualifizierung für die Serienfertigung soll folgen.
„Der Schritt auf 900 Volt gibt uns mehr Spannungsreserve und bewahrt die Vorteile des Hochfrequenz-Schaltens“, sagte Enphase-Technikchef Hans van Antwerpen. Beide Firmen arbeiten bereits zusammen: Enphases Mikrowechselrichter IQ9 nutzen 650-Volt-GaN-Chips von Infineon.