Dichtere Speicherzellen aus China: CXMT setzt Samsung und SK Hynix unter Druck

Der chinesische Speicherchiphersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) hat nach eigenen Angaben einen wichtigen Fortschritt bei der DRAM-Zellstruktur „4F²“ erzielt. Präsident Cao Kanyu kündigte am Wochenende auf einer Branchenkonferenz in Shanghai an, noch vor Ende 2026 DDR5-Servermodule (RDIMM) auf Basis der neuen Technik auf den Markt zu bringen. Genaue technische Daten und einen konkreten Starttermin nannte das Unternehmen nicht.

Heute übliche DRAM-Chips nutzen eine 6F²-Anordnung: Eine Speicherzelle aus Transistor und Kondensator belegt die sechsfache Fläche des Quadrats der kleinsten Strukturbreite. Bei 4F² sind es nur noch vier – möglich wird das, indem die Bauteile stärker senkrecht gestapelt werden. CXMT setzt dafür auf einen selbst entwickelten Transistor mit rundum geschlossenem, vertikalem Gate. Laut Fachberichten steigt die Zelldichte pro Chip so um 30 bis 50 Prozent. Samsung peilt die Serienfertigung mit dieser Architektur Berichten zufolge erst für 2028 an.

An der Börse in Seoul reagierten Anleger am Montag mit Verkäufen: Samsung Electronics und SK Hynix gaben im Handelsverlauf zeitweise um bis zu rund vier Prozent nach, Samsung fiel auf 252.500 Won. Auch die seit Juli in Shanghai notierte CXMT-Aktie verlor etwa drei Prozent. Keiner der drei großen Hersteller Samsung, SK Hynix und Micron hat 4F²-Speicher bislang in großem Stil auf den Markt gebracht.