Hitze in KI-Chips: Samsung und SK Hynix rüsten Speicher HBM4E mit neuer Kühlung aus
KI-Chippakete werden immer größer – und heißer. Samsung bereitet für den Speicher HBM4E gleich mehrere Kühltechniken vor, SK Hynix setzt auf neue Materialien.
Grafik: TERRA WORLD NEWS (eigene Darstellung nach den genannten Quellen)
Die Träger, auf denen Rechenchips und Speicherstapel für KI-Beschleuniger nebeneinander sitzen, wachsen rasant. Nach einem Bericht der südkoreanischen Zeitung Chosun Biz sind solche sogenannten Interposer bereits rund 5,5-mal so groß wie die maximale Fläche von 858 Quadratmillimetern, die eine EUV-Lithografiemaschine in einem Schritt belichten kann. Branchenkenner rechnen mit einem Wachstum auf das 9- und 12-Fache und schließlich bis auf etwa das 40-Fache. Grund sind Grenzen bei der Verkleinerung der Strukturen und die zunehmende Verbreitung von Chiplet-Bauweisen.
Für den Speicher HBM4E, den Samsung ab 2027 in Serie fertigen will, bereitet der Konzern deshalb mehrere Kühllösungen vor. Beim sogenannten Hybrid Copper Bonding werden die Speicherlagen direkt über Kupferflächen statt über winzige Lötkontakte verbunden; der Stapel wird dünner und gibt Wärme besser ab. Samsung hatte die Technik im März auf Nvidias Konferenz GTC gezeigt. Zusätzlich prüft das Unternehmen einen eigenen Wärmepfad im Basischip, der mit HBM5 eingeführt werden soll. Konkurrent SK Hynix verfolgt nach Angaben der Fachzeitung ETNews einen anderen Weg: Bei seinem Konzept iHBM werden gut wärmeleitende, aber elektrisch isolierende Materialien um besonders heiße Bereiche des Chips gelegt. Das soll den Wärmewiderstand um rund 30 Prozent senken.