Прегряване на ИИ чиповете: Samsung и SK Hynix подготвят ново охлаждане за HBM4E
Пакетите с чипове за изкуствен интелект стават все по-големи и по-горещи. Samsung подготвя няколко техники за охлаждане на паметта HBM4E, а SK Hynix залага на нови материали.
Графика: TERRA WORLD NEWS (собствена графика по данните от източниците)
Подложките, върху които изчислителните чипове и стековете памет за ИИ ускорители са разположени един до друг, растат бързо. Според южнокорейския вестник Chosun Biz тези т.нар. интерпозери вече са около 5,5 пъти по-големи от максималната площ от 858 квадратни милиметра, която една EUV литографска машина може да експонира наведнъж. Експерти от бранша очакват ръст до 9 и 12 пъти и в крайна сметка до около 40 пъти. Причините са ограниченията при смаляването на структурите и все по-широкото използване на чиплет конструкции.
Затова за паметта HBM4E, която Samsung иска да произвежда серийно от 2027 г., концернът подготвя няколко решения за охлаждане. При т.нар. хибридно медно свързване слоевете памет се съединяват директно чрез медни повърхности вместо чрез миниатюрни спойки; стекът става по-тънък и отвежда топлината по-добре. Samsung показа технологията през март на конференцията GTC на Nvidia. Освен това компанията тества специален топлинен път в базовия чип, който трябва да бъде въведен с HBM5. Конкурентът SK Hynix следва друг път според специализираното издание ETNews: при концепцията iHBM около особено горещите зони на чипа се поставят добре топлопроводими, но електрически изолиращи материали. Това трябва да намали топлинното съпротивление с около 30 процента.