По-плътни клетки памет от Китай: CXMT притиска Samsung и SK Hynix

Китайският производител на чипове памет ChangXin Memory Technologies (CXMT) съобщи за важен напредък при клетъчната структура на DRAM, наречена „4F²“. Президентът на компанията Цао Канйю обяви през уикенда на отраслова конференция в Шанхай, че до края на 2026 г. CXMT ще пусне на пазара сървърни модули DDR5 (RDIMM), базирани на новата технология. Подробни технически характеристики и конкретна дата на пускане компанията не посочи.

Днешните DRAM чипове използват подредба 6F²: една клетка памет от транзистор и кондензатор заема площ, шест пъти по-голяма от квадрата на най-малкия размер на елемента. При 4F² тя е само четири пъти по-голяма – това се постига, като компонентите се разполагат по-вертикално. CXMT залага на собствено разработен транзистор с вертикален гейт, който го обгражда изцяло. Според специализирани издания плътността на клетките в един чип нараства с 30 до 50%. Samsung по информация в медиите планира серийно производство с тази архитектура едва през 2028 г.

Инвеститорите на борсата в Сеул реагираха с продажби в понеделник: акциите на Samsung Electronics и SK Hynix поевтиняха в хода на търговията с около 4%, като Samsung падна до 252 500 вона. Котираната от юли в Шанхай акция на CXMT също загуби около 3%. Нито един от трите големи производители – Samsung, SK Hynix и Micron – все още не е пуснал масово памет 4F² на пазара.