Mehr als 400 Lagen: Micron überspringt eine Generation beim Flash-Speicher
Micron geht beim NAND-Speicher direkt von G9 auf G11: Die neuen Chips sollen doppelt so viele Daten pro Fläche speichern. Die Massenfertigung ist für Ende 2027 geplant.
Symbolbild · Foto: Raimond Spekking / Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0 (zugeschnitten und skaliert)
Der US-Speicherhersteller Micron lässt eine geplante Generation seines Flash-Speichers aus. Statt der vorgesehenen Generation mit mehr als 300 Schichten, die G10 heißen sollte, geht das Unternehmen direkt vom aktuellen G9 mit 276 Lagen zur Technik G11 über. Das kündigte Micron bei einem Technologie-Webinar für Investoren am 21. Oktober an, berichtet Blocks and Files.
G11 soll mehr als 400 Speicherlagen übereinanderstapeln und die Bitdichte gegenüber G9 verdoppeln. Die Datenübertragung soll um bis zu 50 Prozent schneller werden und pro Bit mehr als 25 Prozent weniger Energie brauchen. Dafür setzt Micron laut Tom's Hardware auf Wafer-on-Wafer-Bonding: Speicherzellen und Steuerlogik werden auf getrennten Siliziumscheiben mit unterschiedlichen Verfahren gefertigt und anschließend verbunden. Wie viele aktive Lagen es genau sind, verriet der Konzern nicht.
„Diese G11-Technologie ist der weltweit fortschrittlichste NAND-Speicher“, sagte Micron-Technikchef Scott DeBoer. Die Massenproduktion soll in der zweiten Jahreshälfte 2027 beginnen. Weitere Details will Micron näher am Produktionsstart nennen. Mit neuen SSD-Designs zielt Micron laut Blocks and Files besonders auf KI-Anwendungen; der Autor hält den Generationssprung allerdings auch für Marketing gegenüber Konkurrenten wie Samsung und SK hynix.