Над 400 слоя: Micron прескача цяло поколение флаш памет
Micron минава при NAND паметта направо от G9 към G11: новите чипове ще съхраняват двойно повече данни на единица площ. Масовото производство е планирано за края на 2027 г.
Символна снимка · Снимка: Raimond Spekking / Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0 (изрязана и мащабирана)
Американският производител на памет Micron пропуска планирано поколение на своята флаш памет. Вместо предвиденото поколение с над 300 слоя, което трябваше да се казва G10, компанията преминава директно от сегашната G9 с 276 слоя към технологията G11. Това Micron обяви на технологичен уебинар за инвеститори на 21 октомври, съобщава Blocks and Files.
G11 ще наслагва над 400 слоя памет един върху друг и ще удвои плътността на битовете спрямо G9. Преносът на данни ще бъде до 50 процента по-бърз, а консумацията на енергия на бит – с над 25 процента по-ниска. За целта Micron залага, според Tom's Hardware, на свързване „пластина към пластина“ (wafer-on-wafer bonding): клетките памет и управляващата логика се произвеждат на отделни силициеви пластини с различни процеси и след това се свързват. Колко точно са активните слоеве, компанията не разкри.
„Тази технология G11 е най-напредналата NAND памет в света“, каза техническият директор на Micron Скот Дебоер. Масовото производство трябва да започне през втората половина на 2027 г. Повече подробности Micron ще даде по-близо до старта на производството. С нови SSD дизайни Micron се насочва особено към приложения с изкуствен интелект, пише Blocks and Files; авторът обаче смята скока през поколение и за маркетинг срещу конкуренти като Samsung и SK hynix.