Bruselas aprueba 319 M€ de ayuda estatal a la planta de GaN de Infineon en Villach
La Comisión Europea autoriza la ayuda de Austria para la primera fabricación a gran escala de chips de potencia de nitruro de galio en obleas de 300 milímetros. La ampliación debería concluir en 2034.

Archive image · Foto: Johann Jaritz / Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0 (recortada y redimensionada)
La Comisión Europea autorizó el miércoles una ayuda estatal austriaca de 319 millones de euros para el fabricante de chips Infineon. El dinero se destinará a la ampliación, valorada en 1.100 millones de euros, de la planta de Villach, en Carintia. Según la empresa, allí se producirá la primera fabricación en serie a gran escala del mundo de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) en obleas de 300 milímetros. La autorización se concedió con arreglo a la Ley Europea de Chips; según la Comisión, la medida refuerza «la posición y la autonomía de la UE en la cadena de valor de los semiconductores».
Los chips de GaN desplazan cada vez más al silicio en la electrónica de potencia porque soportan tensiones más altas, conmutan más rápido y resisten mejor el calor. Se utilizan en cargadores, centros de datos, coches eléctricos, instalaciones solares y eólicas y estaciones base de telefonía móvil. En una oblea de 300 milímetros caben 2,3 veces más chips que en los discos de 200 milímetros utilizados hasta ahora, lo que reduce los costes. Infineon fue en 2024 la primera empresa en procesar obleas de GaN de ese tamaño.
El canciller austriaco, Christian Stocker, habló de una de las mayores inversiones individuales de la historia de la industria de alta tecnología austriaca. El consejero delegado de Infineon, Jochen Hanebeck, dijo que la compañía será la primera del mundo en llevar a la producción en masa la electrónica de potencia de GaN en obleas de 300 milímetros. Está previsto que la ampliación concluya en 2034. La UE quiere duplicar su cuota de la producción mundial de chips, del diez por ciento en 2023 al 20 por ciento en 2030.
