Infineon инвестира 1,1 млрд. евро във Филах – първи голям завод за GaN чипове на 300 мм
В завода в Австрия от края на 2027 г. ще се произвеждат серийно силови чипове от галиев нитрид – най-вече за центрове за данни с ИИ. ЕК е одобрила 319 млн. евро държавна помощ.
Архивна снимка · Снимка: Naturpuur / Wikimedia Commons, CC BY 4.0 (изрязана и мащабирана)
Германският производител на чипове Infineon влага около 1,1 млрд. евро в австрийския си завод във Филах. По данни на концерна там ще бъде изградена първата в света фабрика за масово производство на силови полупроводници от галиев нитрид (GaN) върху 300-милиметрови пластини. Производството трябва да започне до края на 2027 г., а инвестициите ще продължат до 2034 г. Капацитетът ще се увеличава според търсенето.
GaN чиповете се смятат за по-ефективни от класическите силициеви компоненти и са особено търсени за електрозахранването на центрове за данни с изкуствен интелект. Според Ройтерс една 300-милиметрова пластина побира 2,3 пъти повече чипове от използваните досега 200-милиметрови. Изпълнителният директор Йохен Ханебек посочи като области на приложение освен изкуствения интелект и електрическите мрежи, електромобилите и роботиката. Infineon ще бъде „първата компания в света, която въвежда силовата електроника от галиев нитрид в масово производство“, каза той според eeNews Europe.
Според eeNews Europe Европейската комисия е одобрила държавна помощ от 319 млн. евро по Европейския акт за чиповете; официалното решение на австрийското министерство на икономиката все още предстои. Новата фабрика ще използва съществуващите чисти помещения във Филах, където работят около 4800 души. Акциите на Infineon са поевтинели с около 40% от средата на юни; във вторник те поскъпнаха с близо 1% в ранната търговия във Франкфурт.