Паметта на бъдещето: импулси от 6,4 пикосекунди записват магнитни битове
„Nature Electronics“ представя два напредъка при магнитната памет (MRAM): изключително бърз и икономичен запис от Сингапур и изчислителна машина за оптимизация от Китай.
Символна снимка · Снимка: Steve Jurvetson from Los Altos, USA / Wikimedia Commons, CC BY 2.0 (изрязана и мащабирана)
Магнитната оперативна памет (MRAM) се основава на магнитни тунелни преходи; записът става чрез превключване на намагнитването на един от слоевете. Последният брой на научното списание „Nature Electronics“, чиято редакционна статия излезе на 23 октомври, е посветен на тази технология. Екип, ръководен от Хюнсу Ян от Националния университет на Сингапур, е вградил директно в чипа генератор, който създава токови импулси с продължителност едва 6,4 пикосекунди.
С тях магнитните слоеве могат да се превключват чрез т.нар. спин-орбитален въртящ момент. Ако импулсът се скъси от 100 микросекунди на 6,4 пикосекунди, необходимата енергия за запис спада с четири порядъка, посочва редакционната статия. Досега за толкова кратки импулси обикновено бяха нужни обемисти превключватели, задвижвани с лазер. Целта е работа в терахерцовия диапазон, за да може технологията да се конкурира с конвенционалната CMOS електроника.
Втора разработка на Вейшън Джао от университета „Бейхан“ и партньорски компании използва управлявана с напрежение MRAM с 96 000 т.нар. спина като машина на Изинг. Тя решава оптимизационни задачи, каквито възникват при проектирането на интегрални схеми – с обновяване за под една наносекунда и разход под 40 фемтоджаула на спин.