Чипове памет: Samsung и SK Hynix модернизират заводите си в Китай
Според Ройтерс Samsung преминава към NAND памет с 286 слоя в Сиан, а SK Hynix – към 240 и повече слоя в Далян, за да отговорят на китайския конкурент YMTC. Акциите им скочиха с около 6%.
Символна снимка · Снимка: 2x910 / Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0 (изрязана и мащабирана)
Южнокорейските производители Samsung Electronics и SK Hynix модернизират заводите си в Китай, за да произвеждат по-съвременна флаш памет (NAND), съобщи Ройтерс. По информацията Samsung преустройва по вътрешния проект „Monami“ завода си в Сиан, който осигурява около 40% от световното производство на NAND на компанията. Вместо чипове с около 200 слоя там ще се правят чипове от девето поколение с 286 слоя. Според един от източниците през декември се планират 5000 пластини месечно, а до декември 2027 г. – 40 000.
SK Hynix иска да премине в завода в Далян от 192 на 240 и повече слоя. Заводът е придобит с покупката на NAND бизнеса на Intel през 2021 г. и е единственото производство на дъщерната Solidigm. Samsung заяви, че не разширява производствения капацитет и не строи нови мощности, а модернизацията отговаря на търсенето на глобални клиенти, включително в САЩ. SK Hynix потвърди работата и посочи, че тя се извършва в тясна координация с Вашингтон. Ройтерс не успя да установи дали са издадени нужните американски лицензи; през 2025 г. ведомството BIS заяви, че не възнамерява да разрешава технологични подобрения в тези заводи.
Причината е бързият възход на китайския производител YMTC. По данни на Omdia през второто тримесечие той е държал 38,5% от китайския пазар на NAND и е изпреварил Samsung (33,5%), а делът на SK Hynix е спаднал до 17%. В същото време бумът на изкуствения интелект увеличава търсенето на памет. Акциите на двете компании в Сеул затвориха в сряда с около 6% ръст.