Кристал точно където трябва: KAIST управлява растежа на атомно тънки полупроводници
Корейски изследователи контролират къде започва да расте двуизмерен полупроводников кристал. Целта са чипове, наслагвани на етажи един върху друг.
Символна снимка · Снимка: Nessa Eull / Wikimedia Commons, CC0 (изрязана и мащабирана)
Изследователи от корейския технически университет KAIST заедно с UNIST, университета Ханян и фирмата TDS Innovation са разработили метод, с който определят точно къде започва да расте кристал от атомно тънкия полупроводник молибденов дисулфид (MoS₂). Обикновено кристалите се зараждат на случайни места. „При растежа на тънки слоеве мястото, където се образува кристал, по принцип е въпрос на вероятност“, казва ръководителят на екипа професор Кибум Кан. Резултатите са публикувани на 8 октомври в списание Nature.
Методът използва бариера от хафниев оксид около всяко поле. Отделеният от нея кислород потиска зараждането на нови кристали – най-силно по краищата, най-слабо в центъра. Така един-единствен кристал започва да расте в предварително зададената централна точка. Това е успяло в над 99 процента от 400 различни шаблона. Екипът е нанесъл и селективно тънък слой рутений само върху участъци от молибденов диселенид.
Целта са чипове, при които изчислителни и паметови слоеве се наслагват вертикално. Така данните изминават по-къси пътища, което може да намали забавянето и разхода на енергия. Полупроводниковите слоеве биха могли да се изграждат директно върху съществуващи схеми, вместо да се отглеждат отделно и да се пренасят. Все пак изследователите още не са показали цялостен процесор, а дали методът е подходящ за масово производство, тепърва трябва да се провери.